Алфёров жорес иванович

Жорес Алферов

Жорес Алферов – живая легенда отечественной науки. Ученый, открытия которого стали основой для создания современных электронных устройств. Наш мир уже невозможно представить без лазеров, полупроводников, светодиодов и оптоволоконных сетей. Все это стало доступно человечеству благодаря изобретениям Жореса Алферова и воспитанных им молодых ученых.

Жорес Алферов

Заслуги российского (в прошлом – советского) физика высоко отмечены во всех уголках Земли и даже в космосе. Астероид (3884) Alferov носит имя лауреата Нобелевской премии, академика РАН и почетного члена международных научных сообществ.

Детство и юность

Детство ученого выпало на тяжелые годы. Мир сильно изменился с тех пор, как в семье коммунистов Ивана Карповича Алфёрова и Анны Владимировны Розенблюм родился младший сын. Старшего сына родители назвали Марксом (он погиб в последние дни Корсунь-Шевченковской битвы), а младший получил имя в честь Жана Жореса, вождя французских социалистов.

Семья Жореса Алферова: родители и брат

Родившийся 15 марта 1930 года в Витебске ребенок до войны успел исколесить вместе с родителями стройки Сталинграда, Новосибирска, Барнаула и Сясьстроя.

Если бы семья Алферовых осталась жить в Белоруссии, то мировая наука могла бы понести огромную утрату, так и не узнав о нем.

Национальность Анны Розенблюм стала бы причиной гибели и матери, и сына от рук нацистов.

Жорес Алферов в молодости

Годы Второй мировой войны семья жила в Свердловской области, но нормально учиться в школе будущему ученому в это время не довелось. Однако по возвращении в Минск Жорес быстро наверстал упущенное время. Школу закончил с золотой медалью. Сейчас эта школа называется гимназией №42 и носит имя знаменитого ученика.

Учитель физики Яков Борисович Мельцерзон заметил способности юноши и рекомендовал поступать на энергетический факультет Белорусского Политеха. Определившись с кругом научных интересов, Алферов перевелся в ЛЭТИ. В 1952 году начал научную карьеру.

Наука

Выпускник мечтал работать в Физтехе под руководством Абрама Федоровича Иоффе. Физико-технический институт был в послевоенное время легендой. В шутку его именовали «детским садом Иоффе» — именно там росли молодые Ландау, Семенов и Капица. Там Жорес Иванович стал частью команды, создавшей первые советские транзисторы.

Ученый Жорес Алферов

Транзисторы стали темой для кандидатской диссертации молодого ученого.

Впоследствии Жорес Иванович переключился на изучение гетероструктур (искусственных кристаллов) и движением в них света и других видов излучения.

В его лаборатории работали с лазерами, уже в 1970 году там создали первые в мире солнечные батареи. Ими оснащали спутники, они снабжали электроэнергией орбитальную станцию «Мир».

Занятия прикладной наукой шли параллельно с преподавательской работой. Жорес Иванович писал книги и статьи. Руководил кафедрой оптоэлектроники и лично отбирал студентов. Увлеченные физикой школьники посещали его ежегодные курсы лекций «Физика и жизнь».

Профессор Жорес Алферов

Сейчас при Академическом университете, бессменным ректором которого является Жорес Алферов, действует лицей «Физико-техническая школа». Лицей является нижней ступенью научно-образовательного учреждения, в который входит и мощный научно-исследовательский центр. Академик видит в лицеистах будущее российской науки.

Эта цитата из публичного выступления Жореса Ивановича раскрывает веру ученого в победу пытливого разума над желанием обогащения.

Личная жизнь

Возможно, первым научным успехам ученого поспособствовала неудача в личной жизни. Первый брак Жореса Ивановича распался со скандалом.

Красавица жена с помощью влиятельных грузинских родственников отсудила у мужа при разводе ленинградскую квартиру.

В собственности Алферова остались лишь мотоцикл и раскладушка, на которой он ночевал в лаборатории. Разрыв отношений привел к полной потере отношений отца с дочерью.

Жорес Алферов и его жена Тамара

Вторично ученый женился только в 1967 году, и этот брак выдержал испытание временем. Вместе с Тамарой Дарской Жорес воспитал ее дочь Ирину и общего сына Ивана. Рождение сына совпало с другим событием в биографии — получением Ленинской премии. Дети давно выросли, и сейчас Жорес Иванович дедушка. У него два внука и внучка.

Жорес Алферов сейчас

Авторитет ученого в мировой науке опирается на более 500 научных работ и почти сотню изобретений. Но деятельность Нобелевского лауреата не ограничивается физикой. Летом 2017 года в стенах Самарского университета академик прочитал открытую лекцию на тему: «Альберт Эйнштейн, социализм и современный мир», где раскрыл вопросы взаимодействия ученых и правителей.

Депутат Жорес Алферов

В своих выступлениях ученый называет положение науки в России ужасающим и отстаивает права РАН на самоуправление и достойное финансирование. Ученый считает, что государство должно обеспечивать граждан бесплатной медициной, образованием и жильем, а в противном случае эта структура бесполезна.

Жорес Иванович принимает непосредственное участие в управлении государством. Еще в 1989 году его выбрали народным депутатом СССР от Академии Наук. С тех пор академик постоянно избирается в российскую Думу, активно отстаивая интересы ученых и простых граждан.

Жорес Алферов в 2017 году

В августе 2017 года журнал Форбс включил Жореса Алферова в сотню самых влиятельных россиян последнего столетия. Несмотря на солидный возраст, Нобелевский лауреат на видеозаписях и фото выглядит бодрым и уверенным в себе.

Награды и достижения

  • 1959 — Орден «Знак Почёта»
  • 1971 — Медаль Стюарта Баллантайна (США)
  • 1972 — Ленинская премия
  • 1975 — Орден Трудового Красного Знамени
  • 1978 — Хьюллет-Паккардовская премия (Европейское физическое общество)
  • 1980 — Орден Октябрьской Революции
  • 1984 — Государственная премия СССР
  • 1986 — Орден Ленина
  • 1987 — Золотая медаль Генриха Велкера (Симпозиум по GaAs)
  • 1989 — Премия имени Карпинского (ФРГ)
  • 1993 — XLIX Менделеевский чтец
  • 1996 — Премия имени А. Ф. Иоффе (РАН)
  • 1998 — Почетный доктор СПбГУП
  • 1999 — Орден «За заслуги перед Отечеством» III степени
  • 1999 — Демидовская премия (Научный Демидовский фонд)
  • 1999 — Золотая медаль имени А. С. Попова (РАН)
  • 2000 — Нобелевская премия (Швеция)
  • 2000 — Орден «За заслуги перед Отечеством» II степени
  • 2000 — Премия Ника Холоньяка (Оптическое общество Америки)
  • 2001 — Орден Франциска Скорины (Беларусь)
  • 2001 — Премия Киото (Япония)
  • 2001 — Премия В. И. Вернадского (Украина)
  • 2001 — Премия «Российский Национальный Олимп». Титул «Человек-легенда»
  • 2002 — Государственная премия Российской Федерации
  • 2002 — Золотая медаль SPIE
  • 2002 — Награда «Золотая тарелка» (США)
  • 2003 — Орден князя Ярослава Мудрого V степени (Украина)
  • 2005 — Орден «За заслуги перед Отечеством» I степени
  • 2005 — Международная энергетическая премия «Глобальная энергия»
  • 2008 — Звание и медаль Почётного профессора МФТИ
  • 2009 — Орден Дружбы народов (Беларусь)
  • 2010 — Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени
  • 2010 — Медаль «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий» от ЮНЕСКО
  • 2011 — Звание «Почётный доктор Российско-Армянского (Славянского) университета»
  • 2013 — Международная премия Карла Боэра
  • 2015 — Орден Александра Невского
  • 2015 — Золотая медаль имени Низами Гянджеви (Азербайджан)
  • 2015 — Звание «Почётный профессор МИЭТ»

Фото

Источник: https://24smi.org/celebrity/14635-zhores-alferov.html

Алферов Жорес Иванович

Алфёров Жорес Иванович, советский и российский физик, лауреат Нобелевской премии по физике 2000 года, общественный и политический деятель, депутат фракции КПРФ в Государственной Думе РФ

Родился 15 марта 1930 в Витебске, Белоруссия. Имя получил в честь Жана Жореса, основателя газеты L'Humanite и лидера французской социалистической партии.

Довоенные годы провёл в Сталинграде, Новосибирске, Барнауле и Ленинградской области. Во время Великой Отечественной войны семья Алфёровых перехала в Свердловскую область и после её окончания в разрушенный войной Минск.

Окончил с золотой медалью среднюю школу №42 в Минске и поехал поступать в Ленинград, в ЛЭТИ. В 1952 окончил Ленинградский Электротехнический институт имени В. И. Ульянова (ЛЭТИ) (факультет электронной техники), куда был принят без экзаменов.

С 1953 работал в Физико-Техническом Институте имени А. Ф. Иоффе, где был младшим научным сотрудником в лаборатории В.М. Тучкевича и принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов.

В 1970 году Алферов защитил диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках, и получил степень доктора физико-математических наук. В 1972 году Алферов стал профессором, а через год — заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ.

С начала 1990-х годов Алферов занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. С 1987 по май 2003 — директор СПбГЭТУ, с мая 2003 по июль 2006 — научный руководитель.

Кандидат ф.-м.н.наук (1961), доктор физико-математических наук (1970). Профессор ЛЭТИ (1972). В 1990-91 гг. — вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра, академик АН СССР (1979), затем РАН, почётный академик Российской академии образования. Вице-президент РАН, председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН.

Автор более пятисот научных работ, трех монографий и пятидесяти изобретений.

С 1989 по 1992 — народный депутат СССР. В 1995 – избран депутатом Государственной думы Федерального собрания РФ 2 созыва. В 1999-2003 — депутат Государственной думы Федерального собрания РФ 3 созыва от КПРФ, член комитете по образованию и науке. В 2003-2007 — депутат Государственной думы Федерального собрания РФ 4 созыва от партии КПРФ,

Лауреат Нобелевской премии — «За развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники», (Швеция, 2000);

Награжден орденами СССР: Орден Знак Почёта (1959), Трудового Красного Знамени (1975), Октябрьской Революции (1980), Ленина (1986) , а также орденами Российской Федерации «За заслуги перед Отечеством» I- III степеней (1999 — 2005)

Источник: https://kprf.ru/personal/alferov

Жорес Иванович Алферов

Королевская академия наук Швеции опубликовала имена ученых, которым присуждалась Нобелевская премия по физике. Премии были удостоены Ж.И. Алферов (Россия) и Г. Кремер (США) за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники.

В публикуемой краткой биографической справке о лауреатах указывается высшее учебное заведение, которое окончил лауреат. Таким образом, весь мир узнал, что Нобелевский лауреат Жорес Иванович Алферов окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И.

Ульянова (Ленина).

10 октября 2000 г. Королевская академия наук Швеции опубликовала имена ученых, которым присуждалась Нобелевская премия по физике. Премии были удостоены Ж.И. Алферов (Россия) и Г. Кремер (США) за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники.

В публикуемой краткой биографической справке о лауреатах указывается высшее учебное заведение, которое окончил лауреат. Таким образом, весь мир узнал, что Нобелевский лауреат Жорес Иванович Алферов окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И.

Ульянова (Ленина).

Студент Жорес Алферов учился на факультете электронной техники и закончил его в 1952 г., получив диплом с отличием. Годы учебы Ж.И. Алферова в ЛЭТИ совпали с началом студенческого строительного движения. В 1949 г. он в составе студенческого отряда участвовал в строительстве Красноборской ГЭС — одной из первых сельских электростанций Ленинградской области.

Еще в студенческие годы Ж.И. Алферов начал свой путь в науке. Под руководством доцента кафедры основ электровакуумной техники Наталии Николаевны Созиной он занимался исследованиями полупроводниковых пленочных фотоэлементов.

Его доклад на институтской конференции студенческого научного общества (СНО) в 1952 г. был признан лучшим, и за него он получил первую в своей жизни научную премию — поездку на строительство Волго-Донского канала.

Несколько лет он являлся председателем СНО факультета электронной техники.

Читайте также:  Партизанка лиза чайкина

После окончания ЛЭТИ Ж.И. Алферов был направлен на работу в Ленинградский физико-технический институт и стал работать в лаборатории В.М. Тучкевича. Здесь при участии Ж.И. Алферова были разработаны первые советские транзисторы.

В начале 60-х годов Ж.И. Алферов начал заниматься проблемой гетеропереходов. Открытие Ж.И.

Алферовым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений -«сверхинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах -позволило кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.

Своими открытиями Ж.И. Алферов заложил основы современной информационной техники, в основном через разработку быстрых транзисторов и лазеров. Созданные на базе исследований Ж.И.

Алферова приборы и устройства буквально произвели научную и социальную революцию.

Это лазеры, передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей Интернета, это технологии, лежащие в основе мобильных телефонов, устройства, декорирующие товарные ярлыки, запись и воспроизведение информации CD-дисков и многое другое.

Под научным руководством Ж.И.

Алферова были выполнены исследования солнечных элементов на основе гетероструктур, что привело к созданию фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения в электрическую энергию, коэффициент полезного действия которых приблизился к теоретическому пределу. Они оказались незаменимыми для энергообеспечения космических станций, а в настоящее время рассматриваются как один из основных альтернативных источников энергии взамен убывающим запасам нефти и газа.

Благодаря фундаментальным работам Ж.И. Алферова были созданы светодиоды на гетероструктурах. Светодиоды белого света благодаря своей высокой надежности и эффективности рассматриваются как источники освещения нового типа и в ближайшем будущем заменят традиционные лампы накаливания, что будет сопровождаться гигантской экономией электроэнергии.

К числу научных направлений, которые активно развивает Ж.И. Алферов, относится разработка лазеров на основе квантовых точек.

Использование массивов таких квантовых точек позволяет снизить электропотребление лазеров, а также повысить стабильность их характеристик при увеличении температуры. Первый в мире лазер на квантовых точках создан группой ученых, работающих под руководством Ж.И.

Алферова. Характеристики этих приборов постоянно улучшаются, и сегодня они по многим показателям превосходят все типы полупроводниковых лазеров.

Академик Ж.И. Алферов прекрасно понимает, что наука и образование неразделимы. Поэтому он целенаправленно формирует систему подготовки научных кадров по новейшим направлениям науки и техники, основанную на широком привлечении к учебному процессу академических институтов и ведущих ученых РАН.

В 1973 г. академик Ж.И. Алферов, используя непрекращающуюся тесную связь с ЛЭТИ, создает и возглавляет на своем родном факультете электронной техники первую в стране базовую кафедру в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, преподавателями которой становятся известные ученые. Система подготовки научных кадров на базовой кафедре дала прекрасные результаты. Когда в 2003 г.

отмечалось тридцатилетие кафедры, то были приведены следующие данные. За 30 лет кафедра выпустила около шестисот высококвалифицированных специалистов, подавляющее большинство которых стало работать в ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Более четырехсот человек защитили кандидатские диссертации, свыше тридцати — докторские, а Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов и А.Е.

Жуков стали членами-корреспондентами РАН.

Организация кафедры оптоэлектроники явилась началом деятельности Ж.И. Алферова по созданию целостной образовательной структуры. В 1987 г. он создает физико-технический лицей, в 1988 г.

— организует физико-технический факультет в Санкт-Петербургском государственном политехническом университете, деканом которого он является. В 2002 г. по инициативе Ж.И. Алферова постановлением президиума РАН создан Академический физико-технологический университет, который в 2006 г.

получил статус государственного учреждения высшего профессионального образования. Созданные образовательные и научно-исследовательские структуры в 2009 г. были объединены и получили название Санкт-Петербургский академический университет -научно-образовательный центр нанотехнологий РАН.

Входящие в него подразделения размещены в прекрасных зданиях, построенных благодаря усилиям Ж.И. Алферова.

Академик Ж.И. Алферов делает все от него зависящее, чтобы поддержать международный авторитет российской науки. По его предложению президент Российской Федерации своим указом установил международную премию «Глобальная энергия», которая ежегодно присуждается троим российским и иностранным ученым, внесшим выдающийся вклад в развитие энергетики.

По инициативе и под председательством Ж.И. Алферова проводится Санкт-Петербургский научный форум «Наука и общество». В рамках этого форума первая встреча Нобелевских лауреатов «Наука и прогресс человечества» состоялась в год трехсотлетия Санкт-Петербурга.

В ней приняли участие 20 Нобелевских лауреатов в области физики, химии, физиологии и медицины, экономики. Начиная с 2008 г. встречи Нобелевских лауреатов стали ежегодными. Форум 2008 г. был посвящен нанотехнологиям. Форум 2009 г. Темой форума были информационные технологии. Тема форума 2010 г.

— экономика и социология в XXI веке.

Академик Ж.И. Алферов — крупнейший советский российский ученый, автор более 500 научных трудов, свыше 50 изобретений. Его работы получили мировое признание, вошли в учебники. Труды Ж.И. Алферова отмечены Нобелевской премией, Ленинской и Государственными премиями СССР и России, премией им. А.П.

Карпинского (ФРГ), Демидовской премией, премией им. А.Ф. Иоффе и золотой медалью А.С.

Попова (РАН), Хьюлетт-Паккардовской премией Европейского физического общества, медалью Стюарта Баллантайна Франклинского института (США), премией Киото (Япония), многими орденами и медалями СССР, России и зарубежных стран.

Жорес Иванович избран пожизненным членом института Б. Франклина и иностранным членом Национальной академии наук и Национальной инженерной академии США, иностранным членом академий наук Беларуси, Украины, Польши, Болгарии и многих других стран.

Он является почетным гражданином Санкт-Петербурга, Минска, Витебска и других городов России и зарубежья. Почетным доктором и профессором его избрали ученые советы многих университетов России, Японии, Китая, Швеции, Финляндии, Франции и других стран.

Все эти награды и звания заслуженно увенчали труд не только исследователя, но и организатора науки. Пятнадцать лет Ж.И. Алферов возглавлял прославленный Физико-технический институт А.Ф. Иоффе РАН.

Вот уже более двадцати лет Жорес Иванович бессменный председатель Санкт-Петербургского научного центра РАН, главной задачей которого является координация научной деятельности всех петербургских академических институтов. Ж.И.

Алферов — вице-президент РАН.

 Профессор Быстров Ю.А.

Источник: http://www.eltech.ru/ru/universitet/istoriya-universiteta/nasha-gordost/zhores-ivanovich-alferov

АЛФЕРОВ, ЖОРЕС ИВАНОВИЧ

АЛФЕРОВ, ЖОРЕС ИВАНОВИЧ (р. 1930), русский физик. Родился 15 марта 1930 в Витебске. Его родители, убежденные коммунисты, назвали старшего сына (в возрасте 20 лет он погиб на войне) Марксом, а младшего – Жоресом, в честь основателя французской социалистической партии.

Отец был «красным директором» разных военных заводов, семью бросало из города в город. Семилетку Жорес окончил на Сясьстрое (Урал), а в 1945 родители переехали в Минск; здесь в 1948 Алферов окончил 42-ю среднюю школу, где физику преподавал Я.Б.

Мельцерзон – «учитель милостью божьей», ухитрившийся в разоренной школе, без физического кабинета, привить ученикам интерес и любовь к своему предмету. По его совету Алферов поступил в Ленинградский электротехнический институт на факультет электронной техники.

В 1953 он окончил институт и как один из лучших студентов был принят на работу в Физико-технический институт в лабораторию В.М.Тучкевича. В этом институте Алферов работает и поныне, с 1987 – в качестве директора.

В первой половине 1950-х годов лаборатория Тучкевича начала разрабатывать отечественные полупроводниковые приборы на основе монокристаллов германия.

Алферов участвовал в создании первых в СССР транзисторов и силовых германиевых тиристоров, а в 1959 защитил кандидатскую диссертацию, посвященную исследованию германиевых и кремниевых силовых выпрямителей. В те годы была впервые высказана идея использования не гомо-, а гетеропереходов в полупроводниках для создания более эффективных приборов.

Однако многие считали работу над гетеропереходными структурами бесперспективной, поскольку к тому времени создание близкого к идеальному перехода и подбор гетеропар казались неразрешимой задачей.

Однако на основе так называемых эпитаксиальных методов, позволяющих варьировать параметры полупроводника, Алферову удалось подобрать пару – GaAs и GaAlAs – и создать эффективные гетероструктуры. Он и сейчас любит пошутить на эту тему, говоря, что «нормально – это когда гетеро, а не гомо. Гетеро – это нормальный путь развития природы».

Начиная с 1968 развернулось соревнование ЛФТИ с американскими фирмами Bell Telephone, IBM и RCA – кто первый разработает промышленную технологию создания полупроводников на гетероструктурах.

Отечественным ученым удалось буквально на месяц опередить конкурентов; первый непрерывный лазер на гетеропереходах был создан тоже в России, в лаборатории Алферова.

Эта же лаборатория по праву гордится разработкой и созданием солнечных батарей, успешно примененных в 1986 на космической станции «Мир»: батареи проработали весь срок эксплуатации до 2001 без заметного снижения мощности.

Технология конструирования полупроводниковых систем достигла такого уровня, что стало возможным задавать кристаллу практически любые параметры: в частности, если расположить запрещенные зоны определенным образом, то электроны проводимости в полупроводниках смогут перемещаться лишь в одной плоскости – получится так называемая «квантовая плоскость».

Если расположить запрещенные зоны иначе, то электроны проводимости смогут перемещаться лишь в одном направлении – это «квантовая проволока»; можно и вовсе перекрыть возможности перемещения свободных электронов – получится «квантовая точка».

Именно получением и исследованием свойств наноструктур пониженной размерности – квантовых проволок и квантовых точек – занимается сегодня Алферов.

По известной физтеховской традиции Алферов многие годы сочетает научные исследования с преподаванием. С 1973 он заведует базовой кафедрой оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института (ныне Санкт-Петербургский электротехнический университет), с 1988 он – декан физико-технического факультета Санкт-Петербургского государственного технического университета.

Научный авторитет Алферова чрезвычайно высок. В 1972 он был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР, в 1979 – ее действительным членом, в 1990 – вице-президентом Российской академии наук и Президентом Санкт-Петербургского научного центра РАН.

Алферов – почетный доктор многих университетов и почетный член многих академий.

Награжден Золотой медалью Баллантайна (1971) Франклиновского института (США), Хьюлет-Паккардовской премией Европейского физического общества (1972), медалью Х.Велькера (1987), премией А.П.Карпинского и премией А.Ф.

Иоффе Российской академии наук, Общенациональной неправительственной Демидовской премией РФ (1999), премией Киото за передовые достижения в области электроники (2001).

В 2000 Алферов получил Нобелевскую премию по физике «за достижения в электронике» совместно с американцами Дж.Килби и Г.Крёмером.

Крёмер, как и Алферов, получил награду за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов (Алферов и Крёмер получили половину денежной премии), а Килби– за разработку идеологии и технологии создания микрочипов (вторую половину).

Литература:

Алферов Ж.И. Физика и жизнь. СПб, 2000
Жорес Иванович Алферов (к семидесятилетию со дня рождения). – Успехи физических наук, 2000, т. 170, № 3
Алферов Ж.И. Остаться верными российской науке!.. – Вопросы истории естествознания и техники, 2001, № 1

Проверь себя!
Ответь на вопросы викторины «Физика»

Что такое изотоп, чему равно число Авогадро и что изучает наука реология?

Источник: http://www.krugosvet.ru/enc/nauka_i_tehnika/fizika/ALFEROV_ZHORES_IVANOVICH.html

Алфёров Жорес Иванович

Всемирно известный российский физик Жорес Иванович Алфёров – знаменитый академик, полный кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством», лауреат Нобелевской премии.

Алфёров, Жорес Иванович – уроженец г. Витебска республики Беларусь. В 1930 году в семье идейных и последовательных коммунистов родился мальчик, никто не мог предположить, что в будущем он станет знаменитым ученым, имя которого будет связано с большими открытиями в области физики.

Старшего сына родители назвали в честь Карла Маркса, немецкого основателя экономического философского учения — Марксом, к сожалению, жизнь его была короткой, он погиб в юном возрасте на войне, в ожесточенных боях в Корсунь-Шевченковской операции. Младшему сыну досталось имя Жорес, в честь Жореса Жана одного из основателей и идейного руководителя Великой французской революции.

Жизнь семьи была на колесах, отец – «красный директор», направлялся по заданию Партии на важные участки промышленного фронта связанные с обороной страны. В годы войны отец работал в глубоком тылу в Свердловской области, там Жорес успешно закончил семь классов.

В 1945 году вся семья переехала в Минск, который был разрушен в результате сильных бомбежек. Ж.И. Алферов поступил в 42 школу и закончил ее с золотой медалью в 1948 году. Прекрасные знания в области физики, ставшие основой для его дальнейшей ученой деятельности, заложил скромный учитель физики «от бога» Я.Б. Мельцерзон.

Читайте также:  Боткин дмитрий евгеньевич

Местом дальнейшей учебы была выбрана северная столица. Талантливый юноша без вступительных экзаменов был зачислен студентом первого курса Электротехнического института (г. Ленинград), факультет электронной техники.

В 1953 году получив диплом, как перспективный студент, был оставлен работать и заниматься научными исследованиями в стенах института (лаборатория В.М. Тучкевича). С талантливой командой ученых Жорес Иванович занимался разработкой отечественных транзисторов, в наше время они используются во всех электронных приборах.

В 1953 года Алферов представил первый надежный доморощенный транзистор и силовые германиевые (Ge),кремниевые (Si) приборы.

https://www.youtube.com/watch?v=jSDNHD-in8A

В 1961 Ж.И. Алферов защитил кандидатский минимум, который был результатом десятилетних исследований и трудов.

В 1970 год, перспективный физик представил на обсуждение и блестяще защитил докторскую диссертацию, в которой все также были представлены исследования по полупроводникам.

В 1972 году Алфёрову присвоено профессорское звание, а в 1973 году, он уже заведует кафедрой оптоэлектроники в родном институте, куда пришел учиться робким юношей.

1990-е. сложные для научных и исследовательских работ годы, но Алфёров не перестает заниматься наноэлектроникой, которая в будущем станет основой зонной инженерии.

10 октября 2000 года, Алферов за свою научную деятельность получил признание — ему была вручена Нобелевская премия по физике за исследовательскую работу в области полупроводников.

С 2010 года ученому было предложено возглавить инновационный научный центр в Сколково, где будут все возможности для проведения научных экспериментов и опытов в области высоких компьютерных технологий, ядерных и космических отраслях, новых разработок в медицине, микробиологии, биохимии.

За свою длинную научную жизнь Ж.И. Алферов написал сотню трудов, монограмм, статей для научных конференций, журналов, книг. Получил награды в различных странах, отечественные и международные премии.

Стал почетным ученым многих научных заведений и представителем международных общественных организаций.

Был удостоен Орденом Ленина (1986); Орденом Октябрьской Революции (1980); Орденом Трудового Красного Знамени (1975); Орденом «Знак Почёта» (1959).

Ж.И. Алферов, является полным кавалером ордена «За заслуги перед Отечеством»:

• 1999 г. Орден «За заслуги перед Отечеством» III с. — за колоссальный вклад в становление и продвижение отечественной науки, и подготовку квалифицированных кадров из среды талантливой молодежи.

• 2000 г. Орден «За заслуги перед Отечеством» II с. за научные достижения и в сфере образования и воспитания научных кадров.

• 2005 год — Орден «За заслуги перед Отечеством» I с. — за существенный вклад в развитие и продвижения отечественной науки и результативную общественную деятельность на пользу общества и государства.

• 2010 г. Орден «За заслуги перед Отечеством» IV с.— за общественную и научную деятельность на благо Отечества.

Жорес Алферов изменил представление о том, что электроника – это прерогатива японцев и американцев.

Такой привычный мобильный телефон, интернет по оптическому волокну, светодиоды, батареи, аккумулирующие солнечную энергию – все это благодаря использованию полупроводников полученных кропотливой работой Ж.И. Алферова и его команды ученых.

Проигрыватели для компакт дисков и дисководы в компьютерах без «лазера Алферова» просто обычное железо. В наше время ученый работает над созданием современного, сверхскоростного, компактного, компьютера.

Ж.И. Алферов дважды женат. Во втором браке, имеет сына, который к огорчению отца не пошел по его стопам, а занимается бизнесом. У него две дочери родная от первого брака и приемная дочь – ребенок второй жены. Любимое место отдыха с. Комарово, дача на берегу Финского Залива.

 Кавалеры ордена За заслуги перед Отечеством 1 степени.

Источник: http://ordenrf.ru/geroi-rossii/geroi-rossiyskoy-federatsii/alfyerov-zhores-ivanovich.php

Алферов Жорес Иванович

Жорес Алферов – без преувеличения величайший из ныне живущих советских и российских физиков, единственный оставшийся в живых лауреат Нобелевской премии по физике, живущий в России, патриарх парламентской политики.

Семья

Жорес Алферов вырос в семье белоруса Ивана Карповича Алферова и еврейки Анны Владимировны Розенблюм. Старший брат Маркс Иванович Алферов погиб на фронте.

Жорес Алферов женат вторым браком на Тамаре Дарской. От этого брака у Алферова есть сын Иван. Также известно, что у Алферова есть дочь от первого брака, с которой он не поддерживает отношений, и приемная дочь Ирина — дочь второй супруги от первого брака.

Биография

Жорес Алферов родился 15 марта 1930 года в Витебске, Белорусская ССР.

Начало войны не позволило юному Жоресу Алферову отучиться в школе, и он продолжил учебу сразу после окончания войны в разрушенном Минске, в единственной работавшей русской мужской средней школе №42.

Окончив школу с золотой медалью, Жорес Алферов поехал в Ленинград и без вступительных экзаменов был зачислен на факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В.И. Ульянова (ЛЭТИ).

В 1950 году студент Жорес Алферов, специализировавшийся на электровакуумной технике, начал работать в вакуумной лаборатории профессора Б.П. Козырева.

В декабре 1952 года во время распределения студентов своей кафедре в ЛЭТИ Жорес Алферов выбрал Ленинградский физико-технический институт (ЛФТИ), которым руководил знаменитый Абрам Иоффе. В ЛФТИ Алферов стал младшим научным сотрудником и принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов.

В 1959 году за работы по линии ВМФ СССР Жорес Алферов получил свою первую правительственную награду – «Знак почета».

В 1961 году Алферов защитил секретную диссертацию, посвященную разработке и исследованию мощных германиевых и кремниевых выпрямителей, и получил ученую степень кандидата технических наук.

В 1964 году Жорес Алферов стал старшим научным сотрудником Физтеха.

В 1963 году Алферов начал изучение полупроводниковых гетеропереходов. В 1970 году Алферов защитил докторскую диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках. Фактически, им был создано новое направление — физика гетероструктур.

В 1971 году Жорес Алферов был удостоен своей первой международной награды — медали Баллантайна, учрежденной Франклиновским институтом в Филадельфии. В 1972 году Алферов стал лауреатом Ленинской премии.

В 1972 году Алферов становится профессором, а через год — заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ, открытой на факультете электронной техники Физтеха. В 1987 году Алферов возглавил Физтех, а в 1988 году параллельно стал деканом открытого им физико-технического факультета Ленинградского политехнического института (ЛПИ).

В 1990 году Алферов стал вице-президентом АН СССР.

10 октября 2000 года стало известно, что Жорес Алферову стал лауреатом Нобелевской премии по физике — за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. Саму премию он разделил с двумя другими физиками — Кремером и Джеком Килби.

В 2001 году Алферов стал лауреатом Государственной премии РФ.

В 2003 году Алферов покинул пост главы Физтеха, оставшись научным руководителем института. 2005 году он стал председателем Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН.

Жорес Алферов — признанный во всем мире ученый, создавший собственную научную школу и воспитавший сотни молодых ученых. Алферов является членом ряда научных организаций мира.

Политика

Жорес Алферов с 1944 года являлся членом ВЛКСМ, а с 1965 года — член КПСС. Алферов начал заниматься политикой в конце 80-х годов. С 1989 по 1992 год Алферов был народным депутатом СССР.

В 1995 году Жорес Алферов избрался депутатом Государственной думы второго созыва от движения «Наш дом — Россия». В Госдуме Алферов возглавил подкомитет по науке Комитета по науке и образованию Госдумы.

Большую часть времени Алферов состоял во фракции «Наш дом — Россия», но в апреле 1999 года вошел в депутатскую группу «Народовластие».

В 1999 году Алферов вновь избрался депутатом Госдумы третьего, а затем в 2003 году — и четвертого созывов, проходя по партийным спискам КПРФ, не являясь членом партии. В Госдуме Алферов продолжал состоять в парламентском комитете по образованию и науке.

В 2001-2005 годах Алферов возглавлял президентскую комиссию по ввозу отработавшего ядерного топлива.

В 2007 году Алферов избрался депутатом Государственной думы пятого созыва от партии КПРФ, став старейшим депутатом нижней палаты. С 2011 года Алферов — депутат Государственной думы шестого созыва от партии КПРФ.

В 2013 году баллотировался на пост президента РАН

Источник: http://politiki-rossii.ru/person/alferov-zjores-ivanovich

Биография Жореса Алфёрова

Жорес Иванович Алфёров РАН, 10 апреля 2001 года Дата рождения: 15 марта 1930 Место рождения: Витебск, Белорусская ССР, СССР Страна:СССР → Россия Научная сфера: физика полупроводников Учёная степень: доктор физико-математических наук (1970) Учёное звание: профессор (1972), академик АН СССР (1979), академик РАН (1991)

Альма-матер: ЛЭТИ

Жорес Иванович Алфёров (белор. Жарэс Iванавiч Алфёраў; род.

15 марта 1930, Витебск, Белорусская ССР, СССР) — советский и российский физик, единственный живой — из проживающих в России — российский лауреат Нобелевской премии по физике (премия 2000 года за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов).

Лауреат Ленинской премии (1972), Государственной премии СССР (1984), Государственной премии РФ (2001). Организатор, председатель международного комитета и лауреат (2005) самой крупной в России денежной премии «Глобальная Энергия».

Вице-президент РАН с 1991 г., Академик Российской академии наук (академик АН СССР с 1979 года, член-корреспондент АН СССР с 1972 года), с 1989 года по настоящее время — председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, вице-президент АН СССР в 1990—1991 гг.

Иностранный член Национальной академии наук США (1990), Национальной инженерной академии США (1990), иностранный член Академии наук ГДР (1987).

Иностранный член Национальной академии наук Белоруссии (1995), почётный член Академии наук Молдавии (2000), почётный член Национальной Академии наук Азербайджана (2004), почётный член Национальной Академии наук Армении (2011).
Депутат Государственной думы РФ (с 1995 года).

В 1989 году был избран народным депутатом СССР от АН СССР, в декабре 1995 года Алферов был избран в Государственную думу второго созыва от движения «Наш дом — Россия», в 1999, 2003, 2007, 2011 годах переизбирался депутатом Госдумы РФ, проходя по партийным спискам КПРФ, не являясь членом КПРФ.

Родился в белорусско-еврейской семье Ивана Карповича Алфёрова и Анны Владимировны Розенблюм. Отец будущего учёного родился в Чашниках, мать происходила из местечка Крайск (ныне Логойский район Минской области Белоруссии). Имя получил в честь Жана Жореса. Довоенные годы провёл в Сталинграде, Новосибирске, Барнауле и Сясьстрое.

Во время Великой Отечественной войны семья Алфёровых переехала в Туринск (Свердловская область), где его отец работал директором целлюлозно-бумажного завода, и после её окончания вернулась в разрушенный войной Минск. Старший брат — Маркс Иванович Алфёров (1924—1944) — погиб на фронте.

Читайте также:  Баграмян иван христофорович

Окончил с золотой медалью среднюю школу № 42 в Минске и по совету учителя физики Якова Борисовича Мельцерзона несколько семестров отучился в Белорусском Политехническом Институте (ныне БНТУ) г. Минска на энергетическом факультете, после чего поехал поступать в Ленинград, в ЛЭТИ.

В 1952 году окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ульянова (Ленина) (ЛЭТИ), куда был принят без экзаменов.

С 1953 года работал в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе, где был младшим научным сотрудником в лаборатории В. М. Тучкевича и принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов. Кандидат физико-математических наук (1961).

Будучи членом КПСС, Алферов активно занимался партийной и хозяйственной деятельностью, был секретарем партийной организации Физико-Технического института, членом Ленинградского горкома КПСС. Руководил рядом работ команды физиков Дмитрия Третьякова и Рудольфа Казаринова в области физики полупроводников.

Считается, что эти работы стали основанием для присуждения Алферову Нобелевской премии (2000). Физик Рудольф Казаринов был также номинирован на премию, но не получил ее.

В 1970 году Алфёров защитил диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках, и получил степень доктора физико-математических наук.

В 1972 году Алфёров стал профессором, а через год — заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ.

С начала 1990-х годов Алфёров занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. С 1987 по май 2003 года — директор ФТИ им. А. Ф. Иоффе.

В 2003 году Алферов оставил пост руководителя ФТИ им. А. Ф. Иоффе в связи с достижением предельного возраста (75 лет) и до 2006 года занимал пост председателя ученого совета института.

Однако Алферов сохранил влияние на ряд научных структур, среди которых: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, НТЦ Центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур, научно-образовательный комплекс (НОК) Физико-технического института и физико-технический лицей. С 1988 г.

(момента основания) декан физико-технического факультета СПбГПУ.

В 1990—1991 годах — вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра.

С 2003 года — председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН. Академик АН СССР (1979), затем РАН, почётный академик Российской академии образования.

Вице-президент РАН, председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН. Главный редактор «Писем в Журнал технической физики».

Был главным редактором журнала «Физика и техника полупроводников», членом редакционной коллегии журнала «Поверхность: Физика, химия, механика», членом редакционной коллегии журнала «Наука и жизнь». Был членом правления Общества «Знание» РСФСР.

Являлся инициатором учреждения в 2002 году премии «Глобальная энергия», до 2006 года возглавлял Международный комитет по её присуждению. Считается, что присуждение этой премии самому Алферову в 2005 году, стало одной из причин оставления им этого поста.

Является ректором-организатором нового Академического университета.

5 апреля 2010 года объявлено о том, что Алфёров назначен научным руководителем инновационного центра в Сколково.

С 2010 года — сопредседатель Консультативного научного Совета Фонда «Сколково».

Источник: http://sta-sta.ru/?p=26669

Алфёров Жорес Иванович

Жорес Иванович родился в городе Витебск (Белоруссия) в семье Ивана Карповича Алфёрова и Анны Владимировны Розенблюм. Родители назвали сына в честь французского социалиста и пацифиста Жана Жореса. До Великой Отечественной войны семья жила в Сталинграде, Новосибирске, Барнауле и Сясьстрое.

Во время войны она переехала в Туринск (Свердловская обл.). В День Победы, 9 мая 1945 года, Иван Карпович Алфёров получил назначение в Минск. Здесь мальчик окончил школу с золотой медалью, после чего поступил в Ленинградский электротехнический институт имени В. И.

Ульянова на факультет электронной техники по совету школьного учителя физики, Якова Борисовича Мельцерзона.

Еще в студенческие годы Алфёров начал работать в вакуумной лаборатории профессора Б. П. Козырева. Здесь юноша принимал участие в экспериментальных исследованиях под руководством Н. Н. Созиной. С 1950 года полупроводники стали главным объектом его научного интереса. Студент Алфёров не только сам активно участвовал в научной работе, но и вовлекал в нее товарищей по образованию.

После окончания электротехнического института в 1953 году Алфёров поступил на работу в Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе в лабораторию В. М. Тучкевича. На тот период перед институтом стояла задача создать отечественные полупроводниковые приборы.

Задачей лаборатории являлось получение монокристаллов чистого германия и создание на его основе плоскостных диодов и триодов. Молодой специалист принял активное участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов, за что в 1959 году удостоился первой правительственной награды — ордена «Знак Почета».

Своего рода итогом достаточно длительного периода плодотворной работы явилась кандидатская диссертация.

Теперь, когда ученым был накоплен солидный опыт научной деятельности, Алфёров приступил к разработке новой темы, а именно к проблеме использования в полупроводниковой технике гетеропереходов, что явилось импульсом для качественного скачка в развитии физики и техники.

Следует отметить, что в то время многие ученые считали исследования в этом направлении бесперспективными, так как предпринимавшиеся ранее попытки создать приборы на гетеропереходах успехом не увенчались. Однако неудачи предшественников не стали препятствием для научного поиска Алфёрова.

В итоге он и его коллеги разработали гетероструктуры, близкие по своим свойствам к идеальной модели, а также создали первый в мире полупроводниковый гетеролазер, который способен работать в непрерывном режиме при комнатной температуре.

Алфёров не только разработал идеальные гетеропереходы, но и открыл такие физические явления, как «суперинжекция», электронное и оптическое ограничение в гетероструктурах.

Благодаря этим открытиям удалось значительно улучшить характеристики уже « существующих полупроводниковых приборов, а также создать принципиально новые для нужд оптической и квантовой электроники.

Результаты исследований гетеропереходов в полупроводниках были обобщены в докторской диссертации, которую Алфёров защитил в 1970 году.

Достижения Алфёрова были признаны и высоко оценены международной и отечественной научной общественностью. В 1971 году Франклиновский институт (США) наградил выдающегося ученого медалью С. Баллантайна, называемой малой Нобелевской премией, а в 1972 году ученый удостоился самой высокой награды СССР — Ленинской премии.

На основе созданной Алфёровым технологии в 70-х годах XX века в СССР впервые в мире было организовано производство гетеро-структурных солнечных элементов для космических батарей.

Одна из таких батарей в 1986 году была установлена на космической станции «Мир», где проработала весь срок эксплуатации без существенных снижений мощности. Также на базе разработок Алфёрова были созданы полупроводниковые лазеры, обладающие более значительными возможностями, чем применявшиеся ранее.

Эти лазеры стали использоваться как источники излучения в волоконно-оптических линиях связи повышенной дальности.

В 1973 году Алфёрову при поддержке А. А. Вавилова, ректора Ленинградского электротехнического института, удалось организовать кафедру оптоэлектроники на факультете электронной техники Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе.

Совместно с коллегами Алфёров в предельно сжатые сроки разработал учебный план для новой кафедры. Ученый лично возглавил комиссию по отбору студентов.

В дальнейшем он организовывал на период весенних школьных каникул своего рода курсы для учащихся выпускных классов ленинградских школ — «Физика и жизнь».

На эти занятия по рекомендации школьных учителей физики и математики приглашались наиболее одаренные ученики. Группа численностью 30—40 человек размещалась в институтском лагере «Звездный» (все расходы компенсировались за счет вуза).

Алфёров читал учащимся первую лекцию, проводил с ними достаточно много времени. В эти поездки он брал и свою семью — жену Тамару Георгиевну и сына Ивана.

Когда в 1977 году состоялся первый выпуск специалистов по кафедре оптоэлектроники, количество «красных» дипломов в этой группе оказалось таким же, как во всех остальных семи группах факультета электронной техники.

На этом организаторская деятельность Алфёрова в области подготовки перспективных молодых специалистов не закончилась. В 1988 году он организовал физико-технический факультет в Ленинградском Политехническом институте.

В дальнейшем у академика родилась новая идея — объединить созданные им образовательные структуры.

Он добился того, что в начале 90-х годов началось строительство здания для Научно-образовательного центра, которое вступило в строй 1 сентября 1999 года.

В начале 90-х годов XX века под руководством Алфёрова стали проводиться исследования, касающиеся свойств наноструктур пониженной размерности — квантовых проволок и квантовых точек.

В первой половине 90-х годов впервые в мире были созданы гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками — «искусственными атомами».

В 1995 году Алфёров и его коллеги впервые продемонстрировали инжекционный гетеролазер на квантовых точках, который работал в непрерывном режиме при комнатной температуре. Серьезным достижением явилось расширение спектрального диапазона лазеров.

Таким образом, исследования Алфёрова стали базой для создания принципиально новой электроники на основе гетероструктур с широким диапазоном применения.

Открытия, за которые Алфёров и его американские коллеги Г. Кремер и Дж. Килби удостоились Нобелевской премии, имеют огромное значение для развития современной техники.

Основные требования, предъявляемые к современным информационным системам, — это быстрота, возможность передачи больших объемов информации и компактность.

Открытия нобелевских лауреатов по физике за 2000 год как раз и позволяют добиться оптимального сочетания этих характеристик: Алфёров и Кремер независимо друг от друга разработали быстрые опто- и микроэлектронные компоненты на базе полупроводниковых гетероструктур.

В настоящее время гетеролазеры используются в различных приборах, например в проигрывателях CD-дисков, устройствах, декодирующих товарные ярлыки, лазерных указках и др.

Гетероструктуры явились основой для создания мощных светоизлучающих диодов, которые используются в дисплеях, лампах тормозного освещения в автомобилях и светофорах.

Гетероструктурные солнечные батареи, применяемые в космической и наземной энергетике, позволяют достигнуть очень высокой эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую.

Дж. Килби, разделивший с Алфёровым и Кремером Нобелевскую премию по физике за 2000 год, внес значительный вклад в создание и исследование интегральных микросхем, что дало мощный импульс развитию микроэлектроники. В настоящее время микроэлектроника и оптоэлектроника являются основой современной техники.

В 2008 году Жорес Иванович принимал участие в подготовке издания второй книги из серии «Автограф века». Также академик Алфёров в свое время был главным редактором журнала «Физика и техника полупроводников», членом редакционной коллегии журнала «Поверхность: Физика, химия, механика», членом редакционной коллегии журнала «Наука и жизнь».

Алфёров, по свидетельству людей, его знающих, — превосходный лектор и рассказчик. На банкете у короля Швеции в честь Нобелевских лауреатов он по просьбе своих американских коллег Г. Кремера и Дж.

Килби выступил с речью, которая по традиции представляется только одному лауреату от каждой номинации. Свою Нобелевскую лекцию он блестяще прочел на английском языке без конспекта.

В общении с людьми, будь то министры или студенты, руководители предприятий или простые служащие, академик Алфёров всегда прост, ровен и корректен.

В настоящее время Алфёров является председателем созданного им Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН, академиком РАН, почетным академиком Российской академии образования, вице- президентом РАН, председателем президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, главным редактором «Писем в Журнал технической физики». Кроме того, Жорес Иванович — автор свыше 500 научных работ, 3 монографий и 50 изобретений.

Открытия и изобретения России, Славянский Дом Книги

Источник: http://rus-eng.org/eng/Alfyorov%20ZHores%20Ivanovich.htm

Ссылка на основную публикацию